2023第二季度NANDFlash/DRAM市场营收排名出炉
2024-02-128月25日消息，据CFM闪存市场分析，2023年二季度全球NAND Flash市场规模环比增长5%至91.28亿美元，DRAM市场规模环比增长11.9%至106.75亿美元。整体来看，二季度全球存储市场规模198.03亿美元，环比增长9%，但不足去年同期的一半，同比下跌54%。尤其在mobile收入增长及DDR5、HBM等出货扩大的推动下，SK海力士的NAND Flash和DRAM收入分别实现26.4%和48.9%的环比增长，为收入增速最快的原厂，其市场占比也进一步得到提高。 二季度全球NAN
FLASH芯片的发展史
2024-02-12FLASH芯片的发展演变历史 FLASH芯片是一种非易失性存储器，具有广泛的应用于各种领域，如家庭、工业、医疗等。本文将介绍FLASH芯片的发展演变历史，从初期阶段到升级换代，再到应用领域扩展，以及最后的市场发展情况。 在早期，FLASH芯片主要用于小型非易失性存储器，如计算器、电子表等。其存储容量小，价格较高，可靠性差，只能存储少量的数据。随着技术的发展，FLASH芯片的存储容量得到了极大的提高，价格也大幅下降，可靠性也得到了极大的改善。 随着FLASH芯片的存储容量的提高，其应用领域也得到
NAND Flash 和SSD需求略有好转
2024-02-12NAND Flash 白牌SSD需求略有好转 本周NAND Flash需求呈现多头分散且零星，eMMC 连日低价刺激下，4G/8G/16G低价部位皆有询单释出，相对低价部位议价动作频频，但因双方议价空间不足，交易情况不甚理想；同时市场亦受到成卡及原厂SSD库存释出影响，整体颗粒盘势一度下跌，但因wafer报价仍是缓缓攀升，工厂端成本出现价差，白牌SSD需求略有好转，在实际买气部份仍显薄弱，无法带动整体需求动能，盘势仍大致疲弱，而跌幅则较为收敛。 在Samsung部分，SLC固定需求趋近尾声，价
NAND Flash Wafer延续上涨 存储现货行情谨慎乐
2024-02-12随着NAND资源供应收紧，近期现货NAND行情持续回温，各环节陆续回补库存，尤其有实际需求的终端积极备货。不过目前行情主要是基于NAND Flash wafer涨价，成本上扬带动成品价格反弹，市场整体倾向于先多备些库存，再持续观察终端需求的变化。 NAND Flash Wafer涨势明确，现货市场备货需求增加，终端需求有待持续观察 目前供应端较为明朗，重亏之下原厂趋于保利润，坚定通过减产调节库存和控制供应，NAND Flash wafer相继强势拉涨，并且上游的涨价有望持续发酵。据CFM闪存市
FLASH存储芯片的类型
2024-02-12FLASH存储芯片(也就是闪存芯片)是用于存储数据的芯片，它们通常被用于存储操作系统、应用程序和用户数据。FLASH存储芯片有多种类型，其中最常见的有以下几种: NOR Flash:这是一种非易失性存储器，可以随机访问和写入数据。它通常用于存储操作系统和启动代码，因为它具有较快的读写速度和低功耗。NAND Flash:这是一种易失性存储器，主要用于存储应用程序和用户数据。与NOR Flash相比，NAND Flash具有更高的存储密度和更低的成本，但它的读写速度较慢。NOR/NAND混合芯片:
龙头企业兆易创新有望显著受益
2024-02-12在经历一年多的行业低迷后，随着下游手机和PC需求的回暖，NorFlash行业即将迎来转机。4Q23产品合约价格由跌转升，预示着2024年行业供需关系将进一步改善，行业景气预计将在2Q24起持续提升。作为国内存储领域的领头羊，兆易创新正转型为存储+MCU+传感器的平台型企业，有望在国内进口替代和半导体需求增长的背景下持续受益。目前股价对应2025年PE为28倍，鉴于行业景气的回升，给予“买进”评级。 尽管3Q23业绩面临压力，但随着行业去库存的结束和4Q23的环比改善，兆易创新有望实现业绩反弹。
中信科:Nand Flash芯片数据存储新方法,提升数据可靠
2024-02-12中信科移动通信技术股份有限公司申请了一项名为“NandFlash芯片数据存储方法及装置”的专利，公开号为CN117331491A，申请日期为2023年8月。 该专利提供了一种Nand Flash芯片数据存储方法及装置，包括以下步骤：确定芯片中每个块的首次数据写入时间距离当前时间的时长和每个块的数据出错次数；将时长超过第一预设阈值或数据出错次数超过第二预设阈值的块作为第一类目标块；从芯片中除第一类目标块以外的其他块中选择块写入新数据或第一类目标块中的数据。 该方法通过预估Nand Flash芯片
Flash芯片领域:提高存储单元容量与性能的关键技术
2024-02-12随着科技的飞速发展，Flash芯片在存储领域的应用越来越广泛。Flash芯片中的存储单元是其核心部分，因此，如何提高存储单元的容量和性能成为了该领域的重要话题。 首先，提高存储单元的容量是Flash芯片领域的一个重要研究方向。传统的二维NAND Flash存储单元由于受到工艺尺寸和材料限制，容量提升已经遇到了瓶颈。为了解决这个问题，研究者们开始探索新型的三维存储技术，如3D NAND Flash。3D NAND Flash通过在垂直方向上堆叠存储层，实现了更高的存储密度，从而提高了存储单元的容
FLASH闪存的读写速度如何
2024-02-12随着科技的飞速发展，存储技术也在不断进步。其中，FLASH闪存作为一种新兴的存储介质，因其出色的性能和低功耗等特点，已经逐渐取代传统的机械硬盘，成为移动设备、消费电子设备等领域的首选存储方案。那么，FLASH闪存的读写速度究竟如何呢？本文将带您了解FLASH闪存的读写速度及其影响因素。 一、FLASH闪存的工作原理 FLASH闪存是一种基于半导体技术的存储设备，通常由控制单元和存储单元组成。控制单元负责读取、写入和擦除数据，而存储单元则是存储数据的场所。由于FLASH闪存使用的是浮栅晶体管技术