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碳化硅(SiC)是一种宽带隙半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高键合能等优点,在高温、高频、大功率电子器件领域具有广泛的应用前景。然而,SiC半导体也存在一些缺点,下面分别介绍。 优点: 高温稳定性:SiC的禁带宽度较大,可以在高温下保持稳定的性能。因此,SiC器件可以在较高的温度下长期工作,而且在高温下的性能优于硅器件。高功率密度:由于SiC的击穿电场强度高,可承受更高的电压,因此SiC器件可以具有更高的功率密度,体积更小,重量更轻。高速开关频率:SiC的载流子饱和速度高,可以获得
10月17日,据ETNews报道,三星电子正式聘请了安森美半导体前高管Stephen Hong担任副总裁,负责监督SiC功率半导体业务,目标是将碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)两大 功率半导体业务商业化。最近,三星电子聘请了安森美半导体前高管Stephen Hong担任副总裁,负责监督SiC功率半导体业务,并在其器兴园区组建了SiC功率半导体业务特别工作组。据悉,新任总经理Stephen Hong是功率半导体专家,在加入三星电子之前曾在英飞凌、仙童和 安森美半导体等全球主要功率半导体公司工作
在工业、汽车和可再生能源应用中,基于宽禁带 (WBG) 技术的组件,比如 SiC,对提高能效至关重要。在本文中,安森美 (onsemi)思考下一代 SiC 器件将如何发展,从而实现更高的能效和更小的尺寸,并讨论对于转用 SiC 技术的公司而言,建立稳健的供应链为何至关重要。 在广泛的工业系统(如电动汽车充电基础设施)和可再生能源系统(如太阳能光伏 (PV))应用中,MOSFET 技术、分立式封装和功率模块的进步有助于提高能效并降低成本。然而,平衡成本和性能对于设计人员来说是一项持续的挑战,必须
近日,新加坡科学技术研究局(A*STAR)下属研究机构微电子研究所(IME)与德国扩散及退火设备供应商centrotherm International AG达成合作,共同研发8英寸SiC技术。 SiC作为一种具有高能效、高功率、耐高压等特性的材料,已成为电动汽车、轨道交通、数据中心及电网等高压高功率应用领域的理想选择。然而,目前SiC产品和技术尚未大规模商用化应用,仍处于供不应求的阶段。其中,SiC衬底环节是量产的主要障碍,需要突破多项瓶颈。 IME与centrotherm的合作旨在结合IM
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司(以下简称“中芯绍兴”)近日公布了“碳化硅(SiC)MOS芯片制造一期项目”的环境影响评价表。该项目位于绍兴市越城区,总投资9.61亿元,将主要从事6/8英寸SiC MOS芯片制造。 该项目实施主体为中芯绍兴控股子公司中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司,计划建设一条月产5000片的6/8英寸兼容SiC MOS芯片制造生产线。在完成6英寸SiC MOS规模化制造及技术持续研发和产品积累后,待国内8英寸SiC衬底片和外延片具备批量供应能力后,将快速切换到8英寸,建
安森美半导体表示2023年的SiC产能已经销售一空,收入预计将从2022年的3亿美元增加到10亿美元大关。未来三年,安森美将为SiC提供40亿美元的承诺收入,为了达成目标,安森美已经将生产SiC的晶圆厂产能翻了一番,并计划在2023年再次翻番,然后在2024年再次翻番。 意法半导体表示,SiC产能扩产预计将占2023全年资本主要支出;Wolfspeed预计在2024年前将SiC产能扩充30倍,计划2027财年实现SiC市场40亿美元营收;英飞凌预计到2027年将产能增加10倍。 三菱电机宣布将
 5 月 2 日消息,周一,芯片制造商安森美半导体 (ON Semiconductor) 美股收盘上涨 7%,此前该公司公布的季度业绩指引超出了华尔街的预期,带动其他芯片股上涨,而英伟达更是来到了 13 个月来的最高水平。 截至发稿,英伟达美股报价 289.10 美元每股,市值达到了 7140.77 亿美元。 现阶段,全球投资者都在努力寻找芯片行业触底的迹象,而安森美半导体公布的季度业绩和财测则好于分析师预期,因此引动了行业上涨。尽管这家汽车和工业芯片供应商表示,由于宏观经济的不确定性,该公司
芯龙半导体的非分光红外型气体探测器芯片:创新与性能的完美结合 随着工业和环境监测需求的日益增长,气体探测器芯片在安全、环保、医疗等领域的应用越来越广泛。芯龙半导体有限公司推出的非分光红外型气体探测器芯片,凭借其卓越的性能和创新的研发技术,成为了行业内的佼佼者。 非分光红外型气体探测器芯片是芯龙半导体公司研发的一款高性能气体探测芯片,它采用先进的红外光谱技术,能够快速、准确地检测多种气体。该芯片具有以下主要特点: 首先,芯龙半导体的非分光红外型气体探测器芯片具有高灵敏度。该芯片采用先进的红外光谱
智能电源和智能感知技术的领导者安森美(onsemi,美国纳斯达克上市代号:ON),推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅SiC M3S器件,助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。全新产品系列包括有助于提高开关速度的EliteSiC MOSFET和模块,以适配越来越多的800 V电动汽车(EV)车载充电器(OBC)和电动汽车直流快充、太阳能方案以及能源储存等能源基础设施应用。 该产品组合还包括采用半桥功率集成模块(PIMs)的新型EliteSiC M3S器件,具有领先业界
5月19号消息,据外媒报道,自2012年以来一直在开发Wi-Fi芯片的俄罗斯Kvantenna通信公司日前启动了停业清算程序,该公司是美国半导体巨头安森美在俄罗斯的分支。 报道称,Kvantenna由俄罗斯Rusnano公司和美国Wi- Fi模块开发商Quantenna Communications共同发起成立,2018年,Rusnano退出股东名单,2019年,安森美半导体收购了Quantenna Communications所有资产,成为Kvantenna的全资母公司,股权变更后,Kvan