非隔离型栅极驱动器与功率元器件
2024-08-11采用了无闩锁效应SOI工艺的高可靠性非隔离型栅极驱动器 ROHM的非隔离型栅极驱动器是使用了自举方式的高边/低边栅极驱动器。通过采用无闩锁效应SOI工艺，实现了高可靠性。产生闩锁效应时，会流过大电流，可能会导致IC或功率元器件损坏。可以通过元件布局和制造工艺来改善抗闩锁性能，而ROHM的SOI（Silicon On Insulator）工艺通过SOI基板的完全介电分离法提高了耐压性能，并且可以从结构上避免闩锁效应。 反向恢复时间更短的超级结MOSFET：PrestoMOSTM PrestoMO
标题：IXYS艾赛斯IXBK55N300功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 IXYS艾赛斯公司生产的IXBK55N300功率半导体IGBT是一款具有高效率、高可靠性、低噪音和长寿命等特点的优秀产品。这款IGBT采用了先进的TO264封装技术，具有出色的散热性能和电气性能。 首先，我们来了解一下IXYS艾赛斯IXBK55N300功率半导体IGBT的基本技术参数。这款产品的工作电压为3000V，最大电流为130A，最大功率为625W。其工作频率范围为66kHz-166kHz，可广泛应用于各种工
标题：Infineon(IR) IKFW50N60DH3EXKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子技术在现代工业中的应用越来越广泛。在这个领域中，Infineon(IR)公司的IKFW50N60DH3EXKSA1功率半导体IGBT作为一种重要的电子元件，发挥着不可或缺的作用。本文将详细介绍这款产品的技术特点、应用方案以及实际应用中的优势。 首先，IKFW50N60DH3EXKSA1是一款具有TRENCH/FS技术的600V 40A TO247-3型号的IGBT。
IXYS艾赛斯IXYX40N450HV功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍
2024-08-09随着电力电子技术的不断发展，功率半导体IGBT在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯IXYX40N450HV功率半导体IGBT作为一种重要的功率器件，具有高效率、高可靠性和低损耗等优点，在各种电源、电机控制和新能源汽车等应用领域中发挥着重要的作用。 一、技术特点 IXYS艾赛斯IXYX40N450HV功率半导体IGBT采用了先进的工艺技术，具有以下特点： 1. 高速导通和截止，响应速度快，能够提高系统的效率； 2. 具备较高的输入输出电压范围，能够适应各种电源和电机控制应用； 3. 具备较
标题：Infineon(IR) IKFW50N65EH5XKSA1功率半导体IKFW50N65EH5XKSA1的技术与应用介绍 随着科技的发展，电力半导体器件在各种电子设备中发挥着越来越重要的作用。Infineon(IR)公司推出的IKFW50N65EH5XKSA1功率半导体器件，以其高效、稳定和安全的特点，受到了广泛关注。 IKFW50N65EH5XKSA1是一款高性能的功率MOSFET，其工作电压范围为20V至100V，电流高达65A，而耐压高达500V。这种高电流、低损耗的特性使其在各种
标题：IXYS艾赛斯IXBT42N300HV功率半导体IGBT技术与应用介绍 在当今电力电子设备中，功率半导体IGBT起着关键作用。IXYS艾赛斯公司的IXBT42N300HV型号IGBT，以其出色的性能和可靠性，在许多应用领域中发挥着重要作用。 首先，让我们了解一下IXYS艾赛斯IXBT42N300HV功率半导体IGBT的基本参数。该器件的额定电压为3000V，额定电流为42A，最大功率为357W。这些参数使其成为一款适用于各种高电压，大电流应用的理想选择。其封装为TO268，提供了良好的热
标题：Infineon(IR) IKW50N65EH5XKSA1功率半导体IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3的应用与技术方案介绍 随着电力电子技术的不断发展，功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IKW50N65EH5XKSA1功率半导体IGBT作为一种重要的电力电子器件，在各种高电压大电流的场合发挥着重要的作用。本文将介绍该器件的技术特点和方案应用。 首先，IKW50N65EH5XKSA1采用Infineon(IR)独特的TRENCH 65
标题：IXYS艾赛斯IXYX40N250CHV功率半导体IGBT 2.5KV 70A TO247HV的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子技术的应用领域越来越广泛，对高性能功率半导体器件的需求也日益增长。IXYS艾赛斯公司的IXYX40N250CHV功率半导体IGBT，以其独特的性能和出色的技术参数，成为了业内关注的焦点。该器件具有2.5KV的电压耐压，70A的电流容量，以及TO247HV封装，在各种电力电子应用中具有广泛的应用前景。 首先，我们来了解一下IXYS艾赛斯IXYX40
标题：Infineon(IR) IKFW40N60DH3EXKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IKFW40N60DH3EXKSA1功率半导体IGBT，以其卓越的性能和可靠性，在电力转换和电子设备中发挥着至关重要的作用。这款IGBT的特点在于其采用TRENCH/FS 600V技术，能够在高电压、大电流的应用场景下，提供高效的电能转换和控制。 IKFW40N60DH3EXKSA1 IGBT模块采用TO247-3封装，具有出色的热性能和电性能匹配。该模块具有60A的