TGF2977-SM

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编号：

772-TGF2977-SM

制造商编号：

TGF2977-SM

制造商：

Qorvo

客户编号:

说明：

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB

数据表:

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卷轴和剪切带

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卷轴和eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）

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特色产品

QORVO

Holtek(合泰)群盛半导体IC芯片 功率附加效率为57%（1dB时）。

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产品合规性

CNHTS: 8541290000 CAHTS: 8542390000 USHTS: 8542390001 JPHTS: 854239099 TARIC: 8542399000 MXHTS: 8542399901 ECCN: EAR99

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QPD GaN射频晶体管

Qorvo QPD GaN射频晶体管可用于Doherty架构，适用于宏蜂窝高效率系统的基站功率放大器的最后一级。这些GaN晶体管是分立式碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，设有单级匹配功率放大器晶体管。典型应用包括W-CDMA/LTE、宏蜂窝基站、有源天线和通用应用。

TGF297x GaN RF Transistors

Qorvo TGF297x GaN RF Transistors have a frequency range of DC to 12GHz and offer output power from 6W up to 22W. The TGF2970 transistors are constructed using a TQGaN25 process, which features field plate techniques to optimize power and efficiency at a high drain bias operation. Qorvo TGF297x GaN RF Transistors are ideal for military radar and commercial radar including avionics, marine, and weather.

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