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- 发布日期:2024-01-10 17:24 点击次数:73
QPD1025L
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编号:
772-QPD1025L
制造商编号:
QPD1025L
制造商:
Qorvo
Qorvo
客户编号:
说明:
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
数据表:
QPD1025L 数据表 (PDF)
ECAD模型:
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卷轴和剪切带
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卷轴和eel™ (添加 ¥15.00 卷轴费)
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特色产品
电子元器件采购网 功率附加效率为57%(1dB时)。
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规格
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产品属性 属性值 选择属性 制造商: Qorvo 产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管类型: HEMT 技术: GaN SiC 工作频率: 1 GHz to 1.1 GHz 增益: 22.9 dB Id-连续漏极电流: 28 A 输出功率: 1.5 kW 最大漏极/栅极电压: 225 V 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C Pd-功率耗散: 758 W 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: NI-1230-4 封装: Tray 应用: Avionics, IFF Transponders 商标: Qorvo 配置: Dual Gate Dual Drain 开发套件: QPD1025LEVB1 湿度敏感性: Yes 产品类型: RF JFET Transistors 系列: QPD1025L 工厂包装数量: 工厂包装数量: 18 子类别: Transistors 单位重量: 39.665 g
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产品合规性
CNHTS: 8541290000 CAHTS: 8517620090 USHTS: 8541290075 TARIC: 8517620000 ECCN: EAR99
更多信息
QPD1025L射频输入匹配晶体管
Qorvo QPD1025L射频输入匹配晶体管是一款分立式碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT),工作频率范围为1.0GHz至1.1GHz。这些晶体管具有22.5dB线性增益、1800W输出功率、65V工作电压以及脉冲和连续波功能。QPD1025L晶体管采用工业标准气腔型封装,非常适合用于IFF应答器、航空电子设备和测试仪器仪表。
客户还购买了
图像 制造商零件编号 描述 库存
- Qorvo TGF2977-SM2024-01-10
- Qorvo QPL3050SR2024-01-08