意法半导体的STCMB1高集成度功率采用高压谐振半桥控制器
2024-10-17中国，2020年5月29日——意法半导体新推出的EVL150W-HVSLLED驱动器评估板和参考设计将确保LED灯具拥有优异的性能，节省物料清单(BOM)成本，加快LED路灯和其它中高功率照明应用的研发。 作为一款150W、1A市电输入驱动器，EVL150W-HVSL可实现高达91％的满载能效，能够最大程度地节省路灯运营企业的用电成本。 电磁干扰（EMI）在EN55022电磁兼容标准规定范围内，在230V AC、30%至100％负载范围内，输入电流总谐波失真（THD） 小于10％，符合欧洲EN
标题：IXYS艾赛斯IXXK110N65B4H1功率半导体IGBT 650V 240A 880W TO264的应用介绍 随着科技的不断进步，功率半导体IGBT在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司生产的IXXK110N65B4H1功率半导体IGBT，以其出色的性能和稳定性，在市场上得到了广泛的应用。本文将介绍IXXK110N65B4H1的技术和方案应用。 首先，我们来了解一下IXXK110N65B4H1的基本参数。这款IGBT的额定电压为650V，额定电流为240A，最大功率为8
标题：Infineon(IR) IGQ100N120S7XKSA1功率半导体：技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体在工业、交通、电力和电子设备等领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IGQ100N120S7XKSA1功率半导体，以其卓越的性能和广泛的应用领域，成为了业界的焦点。 首先，我们来了解一下IGQ100N120S7XKSA1的基本技术参数。该产品是一款N沟道功率MOSFET，其额定电流高达120A，耐压值达到了1000V，这使得它在许多高功率应用中具有出色的性能。此
标题：IXYS艾赛斯IXXH100N60C3功率半导体IGBT 600V 190A 830W TO247AD的技术和方案应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXXH100N60C3功率半导体IGBT是一款600V，190A，830W的TO247AD封装的高效功率半导体器件。这款器件在电气特性上表现出了出色的性能，包括低导通电阻，高耐压，高电流能力等。它广泛应用于各种工业和电源系统，特别是在需要高效，高功率密度应用中。 二、方案应用 1. 电源转换：IXXH100N60C3可以作为电源转换器的
标题：Infineon(IR) IKQB120N75CP2AKSA1功率半导体器件在工业14领域的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。在业界享有盛名的Infineon(IR)公司，其IKQB120N75CP2AKSA1功率半导体器件在工业14领域中发挥着举足轻重的作用。本文将围绕该器件的技术特点和方案应用进行深入解析。 一、技术特点 Infineon(IR) IKQB120N75CP2AKSA1功率半导体器件采用先进的沟槽技术，具有高耐压、大电流、
标题：IXYS艾赛斯IXYH75N65C3H1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXYH75N65C3H1功率半导体IGBT是一款650V 170A 750W的功率器件，它广泛应用于各种需要大功率转换的电子设备中，如逆变器、电机驱动、UPS电源等。 二、技术特点 IXYS IXYH75N65C3H1采用TO-247封装，这种封装方式具有高散热性，能够有效地降低芯片温度，提高设备的稳定性。此外，该器件具有高耐压、大电流、高速开关等特性，使得其在高功率转换应用中表现出色。
标题：Infineon(IR) IKY120N65EH7XKSA1功率半导体：技术与应用的前沿视角 在当今的电子工业中，功率半导体起着至关重要的作用。它们是电力转换和传输的核心，广泛应用于各种工业、交通和消费电子产品中。今天，我们将深入探讨Infineon(IR)的IKY120N65EH7XKSA1功率半导体，这款产品在业界14的技术和方案应用中表现出了强大的实力。 首先，让我们来了解一下IKY120N65EH7XKSA1的基本特性。这款功率半导体芯片是一款高性能的N-MOS，具有极低的导通电
标题：IXYS艾赛斯IXGH50N120C3功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司生产的IXGH50N120C3功率半导体IGBT是一款具有高效率、高可靠性、低噪音等特点的器件。这款器件采用TO-247封装，适用于各种工业、电源和电子设备中。 首先，我们来了解一下IXGH50N120C3的参数。这款器件的最大栅极-源极电压为1200V，最大漏极电流为75A，总耗散功率为460W。这些参数表明，它适用于需要大功率、高电压的场合。 在技术方面，IXGH50N120C3采用了先进的半导
标题：Infineon(IR) AUIRGDC0250AKMA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR) AUIRGDC0250AKMA1是一款高性能的功率半导体IGBT，其技术特点和方案应用值得深入探讨。这款IGBT具有1200V的电压耐压，141A的电流容量以及543W的功率输出，是当前市场上同类产品中的佼佼者。 首先，我们来看一下AUIRGDC0250AKMA1的特性。它采用了Super220技术，使得其导通电阻低，开关速度高，这使得它在各种电力应用场景中都能表现出色。