标题：Infineon(IR) IKQB160N75CP2AKSA1功率半导体在工业14领域的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IKQB160N75CP2AKSA1功率半导体，以其出色的性能和卓越的耐用性，在工业14领域发挥着举足轻重的作用。本文将深入探讨该功率半导体的技术特点和方案应用。 首先，IKQB160N75CP2AKSA1功率半导体采用了先进的沟槽栅极晶体管技术，具有高输入电容、低饱和电压、高栅极-源极电压降和快速
标题：IXYS艾赛斯IXXX200N60C3功率半导体IGBT 600V 200A PLUS247的技术和方案应用介绍 一、简述产品 IXYS艾赛斯IXXX200N60C3是一款功率半导体IGBT，其电压规格为600V，电流容量为200A。这款产品特别适合于需要大功率、高电压的电子设备中，如电动汽车、风力发电、太阳能发电等。 二、技术特点 IXXX200N60C3采用了IXYS艾赛斯PLUS247技术，这是一种先进的功率MOSFET和IGBT技术，具有高效率、高可靠性、低热阻等优点。该技术通过
标题：Infineon(IR) IKY120N120CH7XKSA1功率半导体器件在工业14领域的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在工业14领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IKY120N120CH7XKSA1功率半导体器件，以其卓越的性能和广泛的应用领域，成为了业界的焦点。 首先，我们来了解一下IKY120N120CH7XKSA1的特点。这款器件采用先进的沟槽技术，具有高输入电容、低导通电阻和快速开关特性，适用于各种工业应用场景，如电机驱动、电源转换、电动
LM56双输出低功率恒温器
2024-10-23一般说明 LM56是一款精密的低功耗恒温器。两个稳定的温度触发点（VT1和VT2）是通过使用3个外部电阻器。LM56有两个数字输出。输出1当温度超过T1时变低当温度低于（T1–THYST）时为高。同样，当温度超过T2，当温度低于时变高（T2–THYST）。THYST是一个内部设置的典型滞后5摄氏度。LM56有一个8-铅迷你-SO8表面安装包装和一个8铅小轮廓包装。 应用 微处理器热管理 设备 便携式电池供电的3.0V或5V系统 风扇控制 工业过程控制 暖通空调系统 遥感温度 电子系统保护 特征
ZXTN25100BFH 100V，SOT23，中功率晶体管
2024-10-23摘要 BVCEX 170V BVCEO 100V BVECO 6V IC（续）= 3A VCE（sat）80mV @ 1A RCE（sat）= 67m？ PD = 1.25W 辅助部件号ZXTP25100BFH 描述 先进的工艺能力和包装设计已被用于 最大化这个小轮廓的功率处理和性能 晶体管。该设备的紧凑尺寸和额定值使其成为理想选择 适用于空间有限的应用。 特征 •高功耗SOT23封装 •饱和电压低 •170V正向阻断电压 应用 •灯泡继电器和电磁阀驱动器 •汽车和工业应用中的一般切换 •电机
PNP硅平面中等功率 高压晶体管
2024-10-23特征 300伏VCEO 0.5安培连续电流 Ptot = 1瓦特 绝对最大额定值。 参数符号ZTX756ZTX757单元 集电极 - 基极电压VCBO -200-300 V. 集电极 - 发射极电压VCEO -200 -300 V. 发射极 - 基极电压VEBO -5 V. 峰值脉冲电流ICM -1 A. 连续集电极电流IC -0.5 A. Tamb时的功耗= 25°C Ptot 1 W. 操作和存储温度 范围 Tj：Tstg -55至+ 200°C 电气特性（除非另有说明，在Tamb = 2
标题：IXYS艾赛斯IXGH24N170功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXGH24N170是一款高性能的功率半导体IGBT，其特点是工作电压低、电流容量大、转换效率高，适用于各种电源和电机控制应用。该器件采用TO-247AD封装，具有优良的电气性能和可靠性。 二、技术参数 该器件的主要技术参数包括：工作电压为1700V，最大电流为50A，最大功率为250W。这些参数确保了其在各种高效率电源和电机控制应用中的出色表现。 三、应用方案 1. 电源转换电路：IXGH2
标题：Infineon(IR) IGQ120N120S7XKSA1功率半导体：IGQ120N120S7XKSA1技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体在工业、商业和家庭中的使用越来越广泛。在这个领域中，Infineon(IR)的IGQ120N120S7XKSA1功率半导体以其卓越的性能和可靠性，成为了业界的佼佼者。本文将详细介绍IGQ120N120S7XKSA1的技术特点和方案应用。 首先，我们来了解一下IGQ120N120S7XKSA1的基本参数。该器件是一款N-MOS晶体管，其电流
标题：IXYS艾赛斯IXGR72N60B3H1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯是一家专注于功率半导体器件的领先制造商，其IXGR72N60B3H1 IGBT是其产品线中的一款重要产品。这款IGBT具有600V、75A和200W的规格，适用于各种高效率、高功率的电子设备。 首先，我们来了解一下IXYS艾赛斯IXGR72N60B3H1 IGBT的技术特点。这款IGBT采用了先进的工艺技术，具有高饱和电压、低损耗、高可靠性和高耐压等特点。此外，其良好的热稳定性使得在高温环境下工作也能