PNP硅平面中等功率 高增益晶体管双极（BJT）单晶体管
2024-10-21ZTX790A双极晶体管的特性 类型 - pnp 集电极 - 发射极电压：-40 V. 集电极 - 基极电压：-50 V 发射极 - 基极电压：-5 V. 集电极电流：-2 A 收集器耗散 - 1.5 W 直流电流增益（h fe） -250 过渡频率 -100MHz 工作和存储结温范围-55至+ 200 °C 套餐 -TO-92 特征 40伏VCEO IC = 1安培时增益为200 极低的饱和电压 绝对最大额定值。 参数符号值单位 集电极 - 基极电压VCBO -50 V. 集电极 - 发射极
标题：IXYS艾赛斯IXGR6N170A功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 IXYS艾赛斯公司是全球功率半导体领域的领导者之一，其IXGR6N170A功率半导体IGBT是该公司在这一领域的重要产品之一。这款IGBT器件具有卓越的性能和可靠性，适用于各种工业和商业应用。 IXGR6N170A IGBT的规格参数为：1700V，5.5A，50W。这些参数代表了该器件在高压、大电流应用中的出色性能。其工作电压高达1700V，这意味着它可以承受高电压，从而在需要高功率转换的应用中发挥作用。而5.5
标题：Infineon(IR) IKQ120N120CH7XKSA1功率半导体器件在工业14领域的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IKQ120N120CH7XKSA1功率半导体器件，以其卓越的性能和稳定性，在工业14领域发挥着不可或缺的作用。本文将深入探讨该器件的技术特点和方案应用。 一、技术特点 IKQ120N120CH7XKSA1是一款高性能的功率半导体器件，具有以下特点： 1. 高压性能：该器件能承受高达1200
标题：IXYS艾赛斯IXGH40N120B2D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXGH40N120B2D1功率半导体IGBT是一款高性能的1200V 75A 380W TO247封装形式的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。这款器件具有高耐压、大电流和大功率的特点，适用于各种高电压、大电流的电源和逆变器应用。 二、技术特点 1. 高压性能：该器件具有出色的高压性能，能够承受高达1200V的电压，为其他元件提供稳定的电压环境。 2. 大电流能力：其大电流能力为75A，
标题：Infineon(IR) IKQ100N120CS7XKSA1功率半导体：技术与应用详解 Infineon(IR)的IKQ100N120CS7XKSA1功率半导体是一种高性能的功率电子器件，其应用广泛，包括工业、交通、通信、消费电子等诸多领域。本文将详细介绍这款功率半导体的技术特点和方案应用。 一、技术特点 IKQ100N120CS7XKSA1采用了Infineon(IR)的SuperTrench技术，这是一种先进的封装技术，能够显著提高器件的效率和可靠性。此外，这款功率半导体还具有低导
D44H11：功率双极晶体管
2024-10-19D44H11通用双极结型晶体管非常适合需要高电流密度且可在高电压范围内工作的电路。该双极结型晶体管的最大发射极基极电压为5 V.其最大功耗为50000mW。为了确保零件不会被散装包装损坏，该产品采用管包装，通过将松散部件存放在外管中来增加一点保护。该双极结型晶体管的工作温度范围为-65°C至150°C。它的最大集电极发射极电压为80 V，最大发射极基极电压为5 V. NPN和PNP功率晶体管可用作通用功率放大和开关，例如开关稳压器，转换器和功率放大器等应用中的输出或驱动级。 特性 低集电极 -
标题：IXYS艾赛斯IXYH30N170C功率半导体：技术与应用详解 随着电力电子技术的快速发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYH30N170C功率半导体，以其1700V/108A的高压性能和先进技术，成为了市场上的热门选择。 首先，让我们了解一下IXYS IXYH30N170C功率半导体的技术特点。这款器件采用IXYS公司独特的XPT IGBT技术，具有高耐压、大电流、低损耗、高可靠性等优点。其内部结构采用三极结构，能够有效降低通态损耗，同时提高了
标题：Infineon(IR) IKY100N120CH7XKSA1功率半导体器件在工业14领域的技术与应用介绍 Infineon(IR)的IKY100N120CH7XKSA1功率半导体器件是一种高效、耐用的功率电子设备，广泛应用于工业14领域。本文将探讨该器件的技术特点和方案应用，以展示其在工业领域的巨大潜力和价值。 一、技术特点 Infineon(IR) IKY100N120CH7XKSA1功率半导体器件采用先进的工艺技术，具有高效率、低损耗、高可靠性和耐高温等特点。该器件的工作电压范围为
标题：IXYS艾赛斯IXBT16N170A功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着电力电子技术的快速发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXBT16N170A功率半导体IGBT，作为一种重要的电力电子器件，在许多领域中发挥着关键作用。本文将围绕IXBT16N170A的特性、技术细节以及应用方案进行介绍。 一、概述 IXBT16N170A是一款N沟道增强型功率半导体IGBT，其特点在于具有高输入阻抗、低导通压降和快速开关特性。这款器件的最大额定电压为1700V